18/17nm工藝DRAM內(nèi)存進(jìn)展不順 4GB內(nèi)存價(jià)格暴漲

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持續(xù)了接近一年的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)已經(jīng)讓NAND閃存、DRAM內(nèi)存相關(guān)產(chǎn)品居高不下，不論是PC還是服務(wù)器、智能手機(jī)市場的產(chǎn)品都是一路水漲船高。

本來三星、美光、SK Hynix今年要大規(guī)模量產(chǎn)20nm工藝以內(nèi)的18nm、17nm內(nèi)存芯片，結(jié)果進(jìn)展并不順利，產(chǎn)能還會(huì)繼續(xù)吃緊，4GB的DDR4 PC內(nèi)存Q2季度合約價(jià)預(yù)計(jì)會(huì)從24美元漲至27美元，提升12.5%。

DRAMeXchange分析師Avril Wu在最新報(bào)告中指出PC OEM廠商原本以為三星、美光升級(jí)18nm、17nm工藝的內(nèi)存芯片之后，內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)量會(huì)加大，有助于緩解內(nèi)存缺貨漲價(jià)的問題，不料天不遂人愿，內(nèi)存廠商在新制程轉(zhuǎn)換上遇到了良率、樣品認(rèn)證等問題，以致于Q2季度的供應(yīng)還會(huì)繼續(xù)吃緊，價(jià)格繼續(xù)上漲也是定局。

Q1季度4GB DDR4內(nèi)存模組的合約價(jià)為24美元，但是Q2季度將達(dá)到27美元，上漲12.5%，創(chuàng)下三個(gè)月來的新高。

三星去年3月底就率先宣布量產(chǎn)18nm工藝內(nèi)存，當(dāng)初寫這個(gè)新聞時(shí)業(yè)界給出的預(yù)期是下半年內(nèi)存價(jià)格會(huì)大降40%，結(jié)果......但是從當(dāng)時(shí)的情況來看，業(yè)界預(yù)期降價(jià)也是有理由的，因?yàn)?8nm工藝的內(nèi)存容量更大，性能更好，產(chǎn)能也會(huì)更多，一旦三星大規(guī)模量產(chǎn)，內(nèi)存產(chǎn)品按理說確實(shí)會(huì)降價(jià)，只是沒想到市場情況發(fā)生了變化。

就18nm工藝來說，三星在20nm之后的節(jié)點(diǎn)也遇到了很多技術(shù)困難，這不僅與芯片設(shè)計(jì)、制造有關(guān)，甚至在某些平臺(tái)上還出現(xiàn)了兼容性問題，因此18nm內(nèi)存的出貨遭遇延期，市場供應(yīng)依然緊缺。

美光公司Q1季度宣布出樣17nm工藝的新一代內(nèi)存，但是進(jìn)展也比預(yù)計(jì)的晚一些，美光很可能推遲到今年Q2季度之后再來量產(chǎn)17nm內(nèi)存。相比美光、三星，SK Hynix是唯一一家沒有宣布制程工藝轉(zhuǎn)換的內(nèi)存公司了，其DRAM內(nèi)存產(chǎn)品維持正常出貨。

這三家內(nèi)存廠商在新技術(shù)轉(zhuǎn)換過程遇到的問題說明了20nm工藝之后制程升級(jí)的門檻提高了，過程要比想象中困難，耗費(fèi)的時(shí)間也比預(yù)期更久。

除了PC內(nèi)存在Q2季度漲價(jià)12.5%之外，其他市場的內(nèi)存也會(huì)漲價(jià)，服務(wù)器內(nèi)存預(yù)計(jì)漲價(jià)10-15%，不過Q2季度移動(dòng)內(nèi)存漲價(jià)幅度可能只有5%，之前最熱門的市場現(xiàn)在反而漲幅最低，這主要是因?yàn)橹袊袌錾系闹悄苁謾C(jī)需求下滑，出貨量放緩所致。